Führende Chipfabriken in Europa, Ostasien und den USA haben die ersten stabilen Ausbeuten auf Hoch-NA-EUV-Scannern bekanntgegeben. Dies markiert den Beginn der industriellen Umsetzung neuer Fertigungsgenerationen.
Strukturverkleinerung und rückseitige Stromversorgung
Die neuen Belichtungssysteme ermöglichen Leiterbahnen von acht Nanometern in einem einzigen Durchlauf, was Fertigungszeiten und Ausschussraten im Vergleich zu bisherigen Mehrfachbelichtungsverfahren spürbar senkt.
Durch die Verlagerung der Stromleitungen auf die Rückseite des Silizium-Wafers wird zudem der elektrische Widerstand verringert und der Signalfluss beschleunigt.
Gemeinsame Chiplet-Schnittstellen
Gleichzeitig verständigten sich führende Hardwareentwickler auf einheitliche Standards für die Verbindung modularer Chiplets, um Entwicklungskosten bei Rechenzentren und industriellen Steuerungen zu begrenzen.
